飛行時間二次離子質譜分析（TOF-SIMS）
1. 飛行時間二次離子質譜技術
飛行時間二次離子質譜技術（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據(jù)二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量，具有極高分辨率的測量技術?？梢詮V泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素、分子等結構信息，其特點在二次離子來自表面單個原子層分子層（1nm以內），僅帶出表面的化學信息，具有分析區(qū)域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點，廣泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。
2. 飛行時間二次離子質譜分析（TOF-SIMS）可為客戶解決的產(chǎn)品質量問題
（1）當產(chǎn)品表面存在微小的異物，而常規(guī)的成分測試方法無法準確對異物進行定性定量分析，可選擇TOF-SIMS進行分析，TOF-SIMS能分析10&nm直徑的異物成分。
（2）當產(chǎn)品表面膜層太薄，無法使用常規(guī)測試進行成分分析，可選擇TOF-SIMS進行分析，利用TOF-SIMS可定性分析膜層的成分。
（3）當產(chǎn)品表面出現(xiàn)異物，但是未能確定異物的種類，利用TOF-SIMS成分分析，不僅可以分析出異物所含元素，還可以分析出異物的分子式，包括有機物分子式。
（4）當膜層與基材截面出現(xiàn)分層等問題，但是未能觀察到明顯的異物痕跡，可使用TOF-SIMS分析表面痕量物質成分，以確定截面是否存在外來污染，檢出限高達ppm級別。
3. 飛行時間二次離子質譜分析（TOF-SIMS）注意事項
（1）樣品最大規(guī)格尺寸為1cm,1cm,0.5cm，當樣品尺寸過大需切割取樣。
（2）取樣的時候避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置，取下樣品后使用真空包裝或其他能隔離外界環(huán)境的包裝， 避免外來污染影響分析結果。
（3）TOF-SIMS測試的樣品不受導電性的限制，絕緣的樣品也可以測試。
（4）TOF-SIMS元素分析范圍H-U，包含有機無機材料的元素及分子態(tài)，檢出限ppm級別。
4.應用實例
樣品信息：銅箔表面覆蓋有機物鈍化膜，達到保護銅箔目的，客戶端需要分析分析苯并咪唑與銅表面結合方式 。
結論：正負離子譜均出現(xiàn)415和416質量數(shù)的分子離子峰， 苯并咪唑（代號P2）分子量為175，推斷結合方式為P2-Cu-P2。
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